在集成電路特別是MOS電路的生產和開發研制中，MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監控測試手段，通過C-V測試達到優化生產過程中的工藝參數，提高IC成品率。 

MOS（金屬－氧化物－半導體）結構的電容是外加偏置電壓的函數，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C－V特性）。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統中的電荷密度有密切的關系。 利用實際測量到的MOS結構的C-V曲線與理想的MOS結構的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數。

另外作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結勢壘區變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結勢壘區變寬，勢壘電容變小。

CV-5000型電容電壓特性測試儀是測試頻率為1MHz的智能化數字的電容測試儀器，既可用于測試半導體器件PN結的勢壘電容在不同偏壓下的電容量，也可進行Mos電容的外加電壓掃描測試，還可測試其它MIS電容。

該儀器由主機和上位機（PC）組成，并在軟件控制下完成校準及測試等功能，同時顯示C-V電容電壓特性曲線。主機面板上的發光二極管指示儀器的工作狀態，用數碼管組成的顯示板，將被測元件的數值，小數點清晰地顯示出來。儀器有較高的分辨率，電容量是五位讀數，可分辮到0.001pF，偏置電壓分辨力為0.1V，漏電流分辨力為0.01uA。

儀器配有測量座，接插元件靈活，方便可靠。

該儀器軟件測試系統是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序，程序操作直觀易用。測試程序在計算機與該儀器連接的狀態下，通過計算機的USB口實現通訊。
測試程序控制電容電壓特性測試測試儀進行測量并采集測試數據，把采集到的數據在計算機中加以分析，然后把測試數據以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數據在計算機中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數據輸出到Excel中，讓用戶對數據進行各種數據分析。

CV-5000型電容電壓特性測試儀技術指標 ：

測試信號頻率 1.000MHz±0.01%

測試信號電壓小于或等于100mVrms

電容測量范圍 1.000pF～5000.0pF

工作誤差±3.0%±2字

直流偏壓 -35V～+35V(可擴展)，由軟件按設定步進電壓值輸出偏置電壓；

軟件功能：由軟件控制電壓的掃描輸出，讀取不同電壓點的電容值并在電腦中繪出電容-電壓的變化曲線。軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數據，也可把測試 數據輸出到Excel中，對數據進行各種數據分析；

電腦通訊接口：USB通訊接口；

應用主要應用于PN結摻雜和MOS摻雜C-V特性測量在不同偏壓下的電容量，也可測試其它電容。

供電電流交流電壓：220V±5%；頻率： 50Hz±5%；消耗功率：不大于40W；

工作環境：溫度：0～40℃；濕度：20%~90%RH 40℃；